JQ-900型區熔單晶體長爐
JQ-900型區熔單晶生長爐是集機、光、電一體化的大型高可靠性、高精度、高自動化的單晶生長設備，整機性能指標達到同類產品國際先進水平。主要生產6-8英寸大規格區熔單晶硅，單晶長度最大可達2500mm, 單晶純度可達99.99999999%,，其晶片主要用于IGBT芯片、可控硅、紅外探測器以及航天航海等尖端科技領域，另外憑其23%的光電轉換效率，我們還可以大膽償試將其用在光伏發電領域。
1. | 主爐室 | 內爐堂直徑[mm] | Φ902X1190高 |
2 | 上副室 | 爐膛直徑[mm] | Φ500 X1800高 |
3 | 下副室 | 爐膛直徑[mm] | Φ500 X2500高 |
4 | 上傳動 | 行程[mm] | 2000 |
主軸轉速[rpm] | 0-30±1% |
主軸直徑[mm] | 100 |
5 | 下傳動 | 主軸行程[mm] | 2600 |
主軸轉速[rpm] | 0-30±1% |
主軸直徑[mm] | 100 |
內軸行程[mm] | 340 |
6 | 平動組件 | 行程[mm] | ±25 |
7 | 槽路組件 | 行程[mm] | 530 |
8 | 反射環 | 行程[mm] | 50 |
快速移動速度[mm/min] | 20 |
9 | 預熱環組件 | 行程[mm] | 285 |
快速移動速度[mm/min] | 100 |
10 | 制備外形 | 長X寬X高[mm] | 6600X4200X14000 |
11 | 真空系統 | 真空度(mbar) | ≤0.01 |
12 | 氣路系統 | 進氣壓力[Ba] | 5-12（推薦10） |
生長氣流量[L/min] | 50 |
氣體質量 | C57-0305，等級4.8 |
13 | 冷卻系統 | 進水壓力[Ba] | 4-6 |
進水溫度[°C] | 12-25 |
進水流量[L/min] | 200 |
物理清潔度[mm] | 0.38 |
14 | 電器 | 電源頻率[Hz] | 50或60 |
電壓[VAc] | 3X380 |
發生器輸出功率(kW) | 120KW |
控制電源(Hz) | 50或60 |
電壓[VAc] | 3X380 |
功率 | 10KW |
進電電源整流濾波 | 有 |
控制系統 | 西門子S7-300 |
人機界面控制 | Pro-face觸摸屏 |
CCD監控系統 | 基恩士 |
上下傳動移動驅動 | Lenze驅動 |
